特許

J-GLOBAL ID：200903020504229285

半導体記憶装置

発明者： 岩瀬 章弘 ,  篭橋 正春
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-059438
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255487
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】本発明は待機状態から読み出し動作に移行する際のセル情報の読み出し速度を向上させ得る半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】データ線対DL,バーDLには読み出し動作時にセル情報IN,バーINが入力される。センスアンプ3は、読み出し動作時にデータ線対DL,バーDLの電位に基づく出力データDout を出力する。電源負荷回路4は、読み出し動作の待機時にデータ線対DL,バーDLをリセット電位にリセットする。電源負荷回路4は、センスアンプ3の動作時における各データ線対DL,バーDLの電位の中間電位に各データ線対DL,バーDLをリセットする。

請求項（抜粋）：

読み出し動作時にセル情報が入力されるデータ線対と、読み出し動作時に前記データ線対の電位に基づく出力データを出力するセンスアンプと、読み出し動作の待機時にデータ線対をリセット電位にリセットする電源負荷回路とを備えた半導体記憶装置であって、前記電源負荷回路は、前記センスアンプの動作時における各データ線対の電位の中間電位に各データ線対をリセットすることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/419 ,  G11C 11/409

FI (2件)：

G11C 11/34 311 ,  G11C 11/34 353 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-145188   出願人：株式会社沖マイクロデザイン宮崎, 沖電気工業株式会社
• 特開平1-192081
  
• 特開平3-266295
  
• 特開平1-192081
  
• 特開平3-266295