特許

J-GLOBAL ID：200903020508905595

硫化亜鉛系焼結材料とその製造方法及びこれを用いたスパッタリングターゲット

発明者： 上野 崇 ,  野口 幸雄
出願人/特許権者： 株式会社フルヤ金属 ,  京セラ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-373803
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181045
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】 硫化亜鉛系焼結材料、特に、硫化亜鉛系薄膜の形成に使用されるスパッターターゲット材料を提供する。さらに、Te又はSbを含む合金記録層に有する相変化型光記録媒体の記録層上に保護膜を薄膜形成するためのスパッターターゲット用の焼結体を提供する。【解決手段】 硫化亜鉛を主成分として、酸化ニオブを含有する硫化亜鉛系焼結体とし、その酸化ニオブの含有量を、Nb2O5換算で10〜50重量%とて、表面抵抗率を10Ω/□以下として、スパッターターゲットに使用する。この焼結体のターゲットは、薄膜成形速度の大きいDCスパッタリングに利用できる。このような焼結体は、0.5〜20μmの硫化亜鉛粉末と平均粒径5μm以下の酸化ニオブ粉末との混合物を調整し、この混合物を800〜1100°Cの温度でホットプレスをして所望形状の焼結体とする。

請求項（抜粋）：

硫化亜鉛を主成分として、酸化ニオブを含有する硫化亜鉛系焼結材料。

IPC (3件)：

C04B 35/547 ,  C23C 14/34 ,  G11B 7/26

FI (3件)：

C23C 14/34 A ,  G11B 7/26 ,  C04B 35/00 T

Fターム (22件)：

4G030AA20 ,  4G030AA56 ,  4G030BA15 ,  4G030GA11 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4G030GA29 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA18 ,  4K029BA43 ,  4K029BA51 ,  4K029BB01 ,  4K029BC08 ,  4K029BD12 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5D121AA04 ,  5D121EE09 ,  5D121EE11 ,  5D121EE14