ショットキーダイオード及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-017811
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211924
出願日： 1994年01月17日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】ショットキーダイオードにおいて耐圧の向上と製造の容易化。【構成】半導体2上にショットキー障壁を形成するショットキー金属6とその周囲に絶縁膜4を設けてなるショットキーダイオードにおいて、ショットキー金属6と絶縁膜4の間に空隙7が形成され、その空隙7及び空隙7の下部に形成された溝8に絶縁物90が充填されている。製法は、ショットキー金属6と絶縁膜4の間に空隙7を絶縁膜4のサイドエッチングで形成し、ショットキー金属6と絶縁膜4とをマスクとして空隙7を通して、その空隙7の下部の半導体2に溝8を形成し、溝8及び空隙7に絶縁物90を充填する。

請求項（抜粋）：

半導体上にショットキー障壁を形成するショットキー金属とその周囲に絶縁膜を設けてなるショットキーダイオードにおいて、該ショットキー金属と絶縁膜の間に空隙が形成され、その空隙及び空隙の下部に形成された溝に絶縁物が充填されていることを特徴とするショットキーダイオード。

FI (4件)：

H01L 29/48 F , H01L 29/48 P , H01L 29/48 E , H01L 29/48 H

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