特許

J-GLOBAL ID：200903020512793866

シリコンウェーハの表面上の金属汚染の減少法および変性された洗浄液

発明者： ペーター シュルツ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-159663
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031784
出願日： 1995年06月26日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 シシリコンウェーハからの半導体デバイスの二次加工の間の洗浄順序に引続くシリコンウェーハの表面上の金属汚染を減少させる方法。【構成】 半導体製造のための改善された“RCA洗浄”の洗浄順序の場合に、洗浄液中の金属錯体結合の0保持のために錯体形成剤を“SC1”の湿式洗浄混合物または調製物に添加する。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハから半導体デバイスを二次加工する場合にシリコンウェーハ上で実施される“RCA洗浄”の洗浄順序の間にシリコンウェーハの表面上の金属汚染を減少させるための方法において、この方法が、変性された“SC1”洗浄液を溶液中の金属錯体結合の保持に提供されるために、前記の“RCA洗浄”の“SC1”洗浄工程で使用するために準備された化学薬品溶液(NH4OH+H2O2+H2O)に、所定の濃度の錯体形成剤を添加し、金属が前記シリコンウェーハの表面上に残留するのを実質的に阻止し;前記の変性された“SC1”洗浄液を、容器部材中に保留させ;かつ前記のシリコンウェーハを、前記の変性された“SC1”洗浄液中に、前記の改善された“RCA洗浄”の“SC1”洗浄工程の間、所定の期間浸漬しておく改善された工程からなることを特徴とする、シリコンウェーハの表面上の金属汚染の減少法。

IPC (7件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  C11D 7/60 ,  C11D 7:06 ,  C11D 7:18 ,  C11D 7:32 ,  C11D 7:36