特許

J-GLOBAL ID：200903020514604912

配線形成方法

発明者： 田口 充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-294027
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130851
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 プロセスが簡便であるというAl配線形成技術の利点を生かしつつ、接続孔の埋め込み能力を向上したAl系配線の配線形成方法を提供する。【構成】 予めAl系材料薄膜成膜工程Iを行った後、Al系材料を接続孔内表面へ流動被覆させる工程IIを行い、適宜高温スパッタ、またはリフロー等による接続孔のAl系材料による埋め込み工程IIIを行ってAl系配線を形成する。

請求項（抜粋）：

接続孔をAl系材料により埋め込む埋め込み工程を備える配線形成方法において、予めAl系材料の薄膜を成膜し、加熱により該薄膜を構成するAl系材料を接続孔内表面に流動被覆させる工程を含むことを特徴とする配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 N