特許
J-GLOBAL ID：200903020516255966
半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-024616
公開番号（公開出願番号）：特開2008-192762
出願日： 2007年02月02日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】半導体装置の加工時間の短縮化、作業性の向上を図り、製造コストのダウンを図る。【解決手段】通常のウエハプロセス(半導体製造工程)にてスクライブライン2で区画された複数の素子部3を形成したウエハ1に対し、貫通部形成工程により、複数の素子部3以外の各スクライブライン2同士の交点Pを含む領域に、化学的加工や物理的加工を用いて、ウエハ1を表面から裏面まで貫通する貫通部5を形成する。その後、ダイシング工程に移り、ウエハ1は、スクライブライン2に沿って、ダイシングを行うことで個片化され、各半導体装置4が作成される。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
スクライブラインで区画して素子部を形成したウエハの、該素子部以外の上記スクライブライン同士の交点を含む領域に、上記ウエハを貫通する貫通部を形成する貫通部形成工程と、
上記貫通部を形成したウエハをダイシングして個々の半導体装置に個片化するダイシング工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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