特許
J-GLOBAL ID：200903020517350687
接合型電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-218015
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050725
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 小型でgmが大きい接合型電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 ソース領域4とドレイン領域6に挟まれたゲート領域5を縦方向に連続伸長形成された補助ゲート領域22と、補助ゲート領域22の伸長方向に沿って該補助ゲート領域22内に間欠的に配列される複数のメインゲート領域23とにより形成し、補助ゲート領域22はメインゲート領域23よりも浅く形成する。ゲート領域5に予め定めた電圧を印加すると、ソース領域4とドレイン領域6間に電流Id が流れ、この電流Id は従来同様のa経路に加えて電流通路12を通るb経路でも流れることができるようになり、トランジスタを大型化しなくてもゲート領域断面(B-B断面)における電流通路断面積Sが増加し、電流Id が流れ易くなって大きなgmを得ることができる。
請求項（抜粋）：
ソース領域とドレイン領域の間にゲート領域が形成され、基板面に沿って配列形成されるソース領域とゲート領域とドレイン領域はそのソース領域とゲート領域とドレイン領域の配列方向に直交する縦平面方向に伸長形成されている接合型電界効果トランジスタにおいて、ゲート領域は補助ゲート領域と複数に区分されたメインゲート領域から成り、補助ゲート領域は縦方向に連続伸長形成され、メインゲート領域は上記補助ゲート領域の伸長方向に沿って該補助ゲート領域内に間欠的に配列されており、全てのメインゲート領域は補助ゲート領域を介して導通接続され、補助ゲート領域は深さ方向の深さが上記メインゲート領域よりも浅く形成されている構成としたことを特徴とする接合型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/337
, H01L 29/808
