3-5族化合物半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保山隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-040032
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232631
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】電極の取り付けは容易で、しかも光取り出し効率の向上した3-5族化合物半導体を用いた発光素子を提供する。【解決手段】一般式Inx Gay Alz N(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体を用い、発光層と基板を有する発光素子において、少なくとも発光層と基板との間に、一般式Ga1-a Ala N(0≦a≦1)で表され、かつ互いに混晶比の異なる2種類の層の繰り返しからなる積層を有し、各々の層の厚さがそれぞれλ/4n1 、λ/4n2 (ただし、λは発光波長、n1 、n2 は発光波長における2種類の層のそれぞれの屈折率である。)に調整されている3-5族化合物半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

一般式Inx Gay Alz N(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体を用い、発光層と基板を有する発光素子において、少なくとも発光層と基板との間に、一般式Ga1-a Ala N(0≦a≦1)で表され、かつ互いに混晶比の異なる2種類の層の繰り返しからなる積層を有し、各々の層の厚さがそれぞれλ/4n1 、λ/4n2(ただし、λは発光波長、n1 、n2 は発光波長における2種類の層のそれぞれの屈折率である。)に調整されていることを特徴とする3-5族化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (10件)

窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-317845 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-082869 出願人：株式会社日立製作所
青色発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-114542 出願人：日亜化学工業株式会社

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