特許
J-GLOBAL ID：200903020527912497

プラズマ処理装置

発明者：
石井 信雄

石井 信雄 について

, 
八坂 保能

八坂 保能 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について

, 
八坂 保能

八坂 保能 について


代理人 (5件)： 石田 敬 ,  鶴田 準一 ,  吉井 一男 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-365420
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200307
出願日： 2002年12月17日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】ダスト、パーティクル等の発生を抑制しつつ、しかもプラズマ処理に有害な表面波プラズマをも抑制可能としたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】被処理体にプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室と、該プラズマ処理室にマイクロ波を案内するためのアンテナ手段と、該プラズマ処理室と、アンテナ手段との間に配置された誘電体部材とを含むプラズマ処理装置。この誘電体部材のプラズマ処理室内部側に、突起を設ける。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被処理体にプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室と、 該プラズマ処理室にマイクロ波を案内するためのアンテナ手段と、 前記プラズマ処理室と、アンテナ手段との間に配置された誘電体部材とを少なくとも含むプラズマ処理装置であって; 前記誘電体部材が、そのプラズマ処理室内部側の表面に突起を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件)：
H01L21/205 ,  B01J19/08 ,  C23C16/44 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46
FI (6件)：
H01L21/205 ,  B01J19/08 H ,  C23C16/44 B ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 B ,  H01L21/302 101D
Fターム (29件)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA26 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EC30 ,  4G075FA08 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FB06 ,  4G075FC15 ,  4K030FA01 ,  4K030KA12 ,  4K030KA15 ,  4K030KA45 ,  5F004BA14 ,  5F004BB11 ,  5F004BB32 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F045AA09 ,  5F045BB15 ,  5F045DP02 ,  5F045EC05 ,  5F045EH03 ,  5F045EH17
引用特許：
審査官引用 (10件)
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