特許
J-GLOBAL ID：200903020534428622
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-123997
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307814
出願日： 1998年04月17日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 N(窒素)を含まないIII-V族混晶半導体層を活性層として用い、前記活性層の上層および下層にN(窒素)を含んだIII-V族混晶半導体の中間層が形成されている。【解決手段】 従来同時に制御することが困難であった伝導帯量子準位、および価電子帯量子準位の設計制御を容易にし、これら量子準位の適切な設計によって、伝導帯におけるキャリアオーバーフローを低減し、温度特性を改善することの可能な半導体発光素子を提供する。
請求項（抜粋）：
N(窒素)を含まないIII-V族混晶半導体層を活性層として用い、前記活性層の上層および下層にN(窒素)を含んだIII-V族混晶半導体の中間層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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