特許
J-GLOBAL ID：200903020535360746
半導体ウェーハの表面洗浄方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055189
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240394
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェーハ表面の自然酸化膜厚を制御しながら洗浄し、その後簡便な方法で自然酸化膜をすべて除去することなくウェーハ表面の親水性を保ちながら、パーティクルの吸着及び金属不純物汚染の低減する表面洗浄方法の提供。【構成】 従来選定されていた液組成をさらに水で希釈した比率が1 : 1:200〜1 : 1 : 500の洗浄液を用いて、洗浄で生成した自然酸化膜厚を従来一定であった厚み(10Å〜15Å)より予め厚くしておくことができ、所要の厚みが厚い自然酸化膜を形成したことにより、従来より高濃度あるいは長時間浸漬が可能な弗酸溶液による自然酸化膜の表面層の除去が可能で、濃度及び/または浸漬時間の選定により、自然酸化膜表面層の金属不純物汚染部分を充分に除去するとともに均一な所定厚みの自然酸化膜を残す。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハを過酸化水素水、水酸化アンモニウムと過酸化水素水及び塩酸と過酸化水素水のいずれかの希釈水溶液中に浸漬して洗浄する際、処理液の組成、温度を一定に保ち、処理時間を選定するか、あるいは処理液の温度、処理時間を一定に保ち、水で希釈する液組成を選定して生成させる自然酸化膜厚を所要厚みに制御し、その後の希釈弗酸溶液洗浄時に、高濃度の弗酸の使用および/または浸漬時間の選定にて、生成された均一な自然酸化膜を所要厚みとなるまで除去することを特徴とする半導体ウェーハの表面洗浄方法。
IPC (6件)：
H01L 21/304 341
, C11D 7/08
, C11D 7/10
, C11D 7/18
, H01L 21/308
, B08B 3/08
