特許

J-GLOBAL ID：200903020535921497

熱処理方法及びその装置

発明者： 大加瀬 亘
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン東北株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-145658
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316222
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 被処理基板を反応容器内に搬入して熱処理を行うにあたり、被処理基板を速やかに所定の熱処理温度に安定させ、均一な熱処理を行うこと。【構成】 ウエハWの温度が例えば500°C付近では入射角により熱線Hの吸収率が異なり、垂直に入射するものほど吸収率が小さいが、ウエハ保持具3を上昇させる際、例えば突上げピンPによりウエハ保持板31を突上げて、ウエハ保持板31を水平面から傾いた状態で支持すると、加熱源24から直接到達する熱線HはウエハWに斜めから所定の入射角を持って入射するので、大きな吸収率で熱線Hを吸収することができ、ウエハWの各位置での温度上昇が揃ってくる。従ってウエハWの温度が速やかに所定温度に安定し、この結果面内均一性の高い熱処理を行うことができる。

請求項（抜粋）：

被処理基板をほぼ水平な状態で保持具に保持させて反応容器内に下方側から搬入し、反応容器の外に設けられた加熱源からの輻射熱により熱処理する熱処理方法において、前記被処理基板を傾けた状態で反応容器内の熱処理領域まで上昇させることを特徴とする熱処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/31 E ,  H01L 21/22 511 A ,  H01L 21/22 511 G ,  H01L 21/324 D ,  H01L 21/68 N