特許
J-GLOBAL ID：200903020539874582
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-276434
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343316
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 結晶粒径を大きくして電気伝導を改善し、かつステップカバレッジを改善した多結晶シリコン薄膜の製造方法を得る。【構成】 非晶質シリコンを堆積し、これを熱処理により多結晶化させて不純物を混入した多結晶シリコン薄膜を製造する方法において、非晶質シリコンを堆積させる際に、同時に混入させる不純物の量をゼロから次第に増加させる。これにより、堆積開始時より一定量で不純物を混入して得られた多結晶シリコンに比べ、結晶粒径の大きな多結晶シリコン薄膜が得られる。又、ステップカバレッジも向上され、更に、不純物の分布も充分均一になる。
請求項（抜粋）：
非晶質シリコンを堆積し、これを熱処理により多結晶化させて不純物を混入した多結晶シリコン薄膜を製造する方法において、前記非晶質シリコンを堆積させる際に、同時に混入させる不純物の量をゼロから次第に増加させてゆくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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