特許

J-GLOBAL ID：200903020548004337

プラズマ処理装置

発明者： 仲上 慎二 ,  長阪 道雄
出願人/特許権者： 株式会社プラズマシステム
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146812
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017799
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 高速処理の利点を維持しながらプラズマによる半導体基板の帯電を極力抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 半球状の反応室8と、反応室8内の下部に設けられ、半導体基板Wを保持する基板ホルダー14と、反応室8の外周に沿い巻線状に設置され、反応室8内にプラズマおよびその活性種を発生させるためのヘリカルアンテナコイル13と、ヘリカルアンテナコイル13に高周波電力を印加するための高周波電源16と、基板ホルダー14と接地5間に接続された挿入インピーダンス6とが具備されている。

請求項（抜粋）：

誘電体からなる半球状の反応室と、該反応室内の下部に設けられ、半導体基板を保持する基板ホルダーと、前記反応室の外周に沿い上部から下部に向かって巻線状に設置され、反応室内にプラズマおよびその活性種を発生させるためのヘリカルアンテナコイルと、該ヘリカルアンテナコイルに高周波電力を印加するための高周波電源と、一端が前記基板ホルダーに接続されるとともに、他端が接地されたインピーダンス素子と、が具備されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  C30B 25/06 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/04

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/30 572 A