特許

J-GLOBAL ID：200903020551072246

半導体装置の微細加工方法

発明者： 左光 大和
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-258665
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097183
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板若しくはこの基板上に積層された膜の表面を効率的に平滑化加工することが可能な半導体装置の微細加工方法を提供する。【構成】 加工せんとする表面を有する層と探針との間に電圧を印加した状態で電解液中にてこの探針を上記表面に押圧して走査させることにより、微小領域のみを効率的に平滑化加工することが可能となり、表面粗さによる電気的特性の劣化を防止することができることから製品の歩留まりが向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板若しくは該基板上に積層された膜の表面の或る領域を平滑化するための半導体装置の微細加工方法であって、電解液中にて前記平滑化すべき表面を有する層との間に所定の電圧が印加された探針を該表面に向けて押圧しつつ前記領域内で走査させることを特徴とする半導体装置の微細加工方法。