特許

J-GLOBAL ID：200903020552245381

多結晶半導体インゴットの製造方法

発明者： 山崎 基治
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-267829
公開番号（公開出願番号）：特開2002-080215
出願日： 2000年09月04日
公開日（公表日）： 2002年03月19日
要約：

【要約】【課題】多結晶シリコン半導体をルツボ内で融解した後に、凝固させてインゴットを製造する際に、得られるインゴットに残存する応力による歪を緩和する。【解決手段】内部の中空部分が逆角錐台形状になるように、底面1bに対して各側壁1aの内面が傾斜状態になったルツボ1に多結晶シリコン半導体を充填して、この多結晶シリコン半導体を加熱して融解した後に、下部から上方に向かって冷却して一方向凝固させる。

請求項（抜粋）：

内部に底面側になるにつれて順次断面積が減少した逆角錐台形状の中空部分が形成されるように、底面に対して各内面がそれぞれ傾斜状態になったルツボに半導体材料を充填し、該材料を加熱して融解させた後に、該材料の融解液を、該ルツボ内にて下部から上方に向かって冷却して一方向凝固させることを特徴とする多結晶半導体インゴットの製造方法。

IPC (2件)：

C01B 33/02 ,  H01L 21/208

FI (2件)：

C01B 33/02 E ,  H01L 21/208 Z

Fターム (16件)：

4G072AA01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072NN01 ,  4G072NN02 ,  4G072UU02 ,  5F053AA26 ,  5F053AA33 ,  5F053BB04 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG02 ,  5F053LL05 ,  5F053RR01 ,  5F053RR03