特許

J-GLOBAL ID：200903020557377448

シリコン単結晶引き上げ用石英るつぼ

発明者： 楠 一彦 ,  山出 善章 ,  荒堀 忠久
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 穂上 照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-188365
公開番号（公開出願番号）：特開2000-016896
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：

【要約】【課題】内層部が合成石英ガラス、外層部が溶融石英ガラスの2層構成のシリコン単結晶引き上げ用石英るつぼで、合成石英ガラス層の厚さを、るつぼを破壊することなく簡便に測定できるもの。【解決手段】内層部と外層部の界面部に、酸素欠損型石英ガラスが存在するシリコン単結晶引き上げ用石英るつぼ。

請求項（抜粋）：

内層部が合成石英ガラス、外層部が溶融石英ガラスの2層構成であって、内層部と外層部の界面部に酸素欠損型石英ガラスが存在することを特徴とするシリコン単結晶引き上げ用石英るつぼ。

IPC (3件)：

C30B 15/12 ,  C03B 20/00 ,  C30B 29/06 502

FI (3件)：

C30B 15/12 ,  C03B 20/00 H ,  C30B 29/06 502 B

Fターム (7件)：

4G014AH08 ,  4G050FD01 ,  4G050FD05 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF00 ,  4G077EG02