レーザアブレーシヨン法による薄膜形成装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-301794
公開番号（公開出願番号）：特開平5-139735
出願日： 1991年11月18日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：

【要約】【目的】薄膜の組成の均一化に有利なレーザアブレーション法による薄膜形成装置を提供する。【構成】装置は、真空容器1とターゲット20(酸化物系超伝導体)とパルスレーザ発振器3(エキシマレーザ:ArF)と負の電位が与えられる基板40とドーム形状のグリッド5とドーム形状のスクリーン6とをもつ。モータ21によりターゲット20を回転させるとともにモータ41により基板40を回転させた状態で、パルスレーザビームをターゲット20に照射し、爆発的な解離であるレーザアブレーションを発生させ、イオン化された速度が速い物質と、比較的速度の遅い中性物質とを生じさせる。中性物質は広範囲で飛来し、イオンはスクリーン6とグリッド5との電界により広い角度に拡散され、基板40で成膜される。

請求項（抜粋）：

真空室をもつ真空容器と、該真空室に配置されターゲットを保持するターゲット保持部と、該ターゲットにレーザアブレーションを生じさせる高エネルギ密度のレーザビームを照射するレーザ発振器と、該真空室に配置され負の電位が与えられる薄膜形成面をもつ基板を保持する基板保持部と、該基板保持部と該ターゲット保持部との間に位置しレーザアブレーションで生成した粒子が通る通路に配置され負の電位が与えられるグリッドとで構成され、レーザアブレーションで生成されたイオンを該グリッドで該基板に向けて拡散飛来させる様にしたことを特徴とするレーザアブレーション法による薄膜形成装置。

IPC (6件)：

C01G 1/00 , B01J 19/12 , C01G 3/00 ZAA , C30B 23/08 , C30B 29/22 501 , H01B 12/06

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