原子層蒸着工程を用いたシリコンリッチナノクリスタル構造物の形成方法及びこれを用いた不揮発性半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-197346
公開番号（公開出願番号）：特開2007-043147
出願日： 2006年07月19日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】原子層蒸着工程を用いたシリコンリッチナノクリスタル構造物の形成方法、及びこれを用いた不揮発性半導体装置の製造方法が開示される。【解決手段】対象体上へ第1シリコン化合物を含む第1ガスを提供して対象体上にシリコンリッチ化学吸着層を形成する。シリコンリッチ化学吸着層上へ酸素を含む第2ガスを提供して対象体上にシリコンリッチ絶縁層を形成した後、シリコンリッチ絶縁層上に第2シリコン化合物を含む第3ガスを提供して前記シリコンリッチ絶縁層上にナノクリスタル層を形成する。このような過程を反復的に行って対象体上に複数のシリコンリッチ絶縁層及びシリコンナノクリスタル層を有するシリコンリッチナノクリスタル構造物を形成する。原子層蒸着工程を通じてシリコンリッチ絶縁層とシリコンリッチナノクリスタル層を含んで高いシリコン含量と優れた段差塗布性を有するシリコンリッチナノクリスタル構造物を形成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

対象体上へ第1シリコン化合物を含む第1ガスを提供して前記対象体上にシリコンリッチ化学吸着層を形成する段階と、前記シリコンリッチ化学吸着層上へ酸素を含む第2ガスを提供して前記対象体上にシリコンリッチ絶縁層を形成する段階と、前記シリコンリッチ絶縁層上へ第2シリコン化合物を含む第3ガスを提供して前記シリコンリッチ絶縁層上にシリコンナノクリスタル層を形成する段階と、を含むことを特徴とする原子層積層工程を用いたシリコンナノクリスタル構造物の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115 , H01L 21/205 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434 , H01L21/205 , H01L21/316 C

Fターム (42件)：

5F045AA06 , 5F045AB02 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045DA52 , 5F058BD04 , 5F058BF02 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF37 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F083EP17 , 5F083EP23 , 5F083EP44 , 5F083EP56 , 5F083ER03 , 5F083ER06 , 5F083ER11 , 5F083ER14 , 5F083ER19 , 5F083GA11 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA40 , 5F083NA01 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083ZA21 , 5F101BA45 , 5F101BA54 , 5F101BB05 , 5F101BC02 , 5F101BD30 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF02 , 5F101BF05 , 5F101BH16

引用特許：

出願人引用 (5件)

米国特許第6274429号明細書
米国特許第5726070号明細書
米国特許第5763937号明細書

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