特許
J-GLOBAL ID：200903020560452299
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-075776
公開番号（公開出願番号）：特開平9-263498
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】【課題】 大口径で厚く、かつ高品位の炭化珪素単結晶を、低コストで製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】シリコンウエハの上に炭化珪素単結晶層13を成長し、この炭化珪素単結晶層13の表面に、炭化珪素よりなる第1の犠牲層を形成し、シリコンウエハを除去する。炭化珪素単結晶層13の表面に、炭化珪素よりなる第2の犠牲層15を形成し、第1および第2の犠牲層15の表層部に炭化層17を形成する。第1の犠牲層の表面に形成された炭化層、および第1の犠牲層を除去する。炭化層17の表面を結晶成長装置のルツボ蓋材4bに接合することにより炭化珪素単結晶層13が蓋材4bに固定され、この蓋材4bが結晶成長装置に装着される。昇華再結晶法を用い、炭化珪素単結晶層13を種結晶として当該炭化珪素単結晶層13に炭化珪素単結晶21が成長され、犠牲層15が除去される。
請求項（抜粋）：
珪素単結晶基板から成長させた炭化珪素単結晶層を、炭化珪素よりなる犠牲層にて被覆する第1工程と、前記炭化珪素単結晶層における一表面での前記犠牲層の表層部に炭化層を形成するとともに、前記炭化珪素単結晶層の他表面を露出させる第2工程と、前記炭化層の表面を結晶成長装置の台座に接合することにより前記炭化珪素単結晶層を台座に固定し、この台座を結晶成長装置に装着する第3工程と、前記炭化珪素単結晶層を種結晶とし、該種結晶に製造しようとする炭化珪素単結晶の原料のガスを供給することにより当該炭化珪素単結晶層に炭化珪素単結晶を成長させる第4工程とを備えたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 25/02
, H01L 23/14
C30B 29/36 A
, C30B 25/02 Z
, H01L 23/14 S
