特許

J-GLOBAL ID：200903020561943342

異方性プラズマエッチング方法

発明者： アンドリユー ジエイ.パーデス
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-251522
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217956
出願日： 1983年07月05日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 より完全な異方性エッチングを可能にする。【構成】 シリコン含有材料(1)上にBrを含みCF3 化合物を含まないガスを流し、プラズマを発生し、材料面イオン衝撃(5)を与える。側壁に生成されるSi-Br化合物(4)によりより完全な異方性エッチングが可能となる。

請求項（抜粋）：

シリコン含有材料の異方性プラズマエッチング方法であって、(a)前記材料上にBrを含みCF3 化合物を含まないガスを流し、(b)前記ガスをプラズマ励起し、(c)前記材料面に前記プラズマのイオン衝撃を与える工程を含むことを特徴とする異方性プラズマエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  C04B 41/91 ,  C23F 4/00 ,  C01B 33/02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公昭55-014143
  
• 特開昭52-009648
  
• 特開昭55-021596