特許

J-GLOBAL ID：200903020566845217

半導体ウエーハの洗浄方法及び洗浄装置

発明者： 真名子 和義
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041212
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232273
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【目的】 洗浄液の溶液濃度を一定に保ち、洗浄効果を安定化させて半導体基板の均一な洗浄及びエッチングを可能とする洗浄方法及び洗浄装置を提供すること。【構成】 気体を溶解した洗浄液を用いて半導体基板の洗浄を行う洗浄方法及びその洗浄装置であって、前記洗浄液にて半導体ウエーハの洗浄を行うにあたり、前記気体の基準となるべき溶解度を予め求めておくとともにこれを設定溶解度とし、前記半導体ウエーハの洗浄の際、前記気体の溶解度を測定して前記設定溶解度と比較し、設定溶解度からのずれに対し溶媒の温度、溶質気体の濃度、及び溶質気体の流量の全部又は一部を調節して、溶質気体の溶解度を一定値となるように制御する。洗浄液中に溶解している酸化性気体や還元性気体のあるべき消費量及び消費速度を予め求めて設定消費量及び消費速度としておき、実際の洗浄の際にこれと比較し、設定消費量及び消費速度からのずれに対し洗浄時間を補正する制御を行う。

請求項（抜粋）：

気体を溶解させた洗浄液を用いて半導体ウエーハの洗浄を行う半導体ウエーハの洗浄方法において、前記洗浄液にて半導体ウエーハの洗浄を行うにあたり、前記気体の基準となるべき溶解度を予め求めておくとともにこれを設定溶解度とし、前記半導体ウエーハの洗浄の際、前記気体の溶解度を測定して前記設定溶解度と比較し、設定溶解度からのずれに対し溶媒の温度、溶質気体の濃度、及び溶質気体の流量の全部又は一部を調節して、溶質気体の溶解度を一定値となるように制御することを特徴とする半導体ウエーハの洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 341 T ,  H01L 21/304 341 S