特許
J-GLOBAL ID：200903020568098770
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-189111
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012725
出願日： 2005年06月29日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】放熱用金属ベースに簡単な構造変更を加えるだけで、高い放熱性を確保しつつ、絶縁基板との間の接合部に発生する熱ストレスを効果的に緩和してパッケージの信頼性向上が図れるようにする。【解決手段】セラミック絶縁基板2に半導体チップ5をマウントした上で、該絶縁基板を放熱用金属ベース(銅材)1に接合(例えば半田接合)した半導体装置において、放熱用金属ベースの上面に、絶縁基板との間の接合面域を包囲して接合面域と重ならないようにその外周側に熱ストレス緩和溝1aを凹設して、該溝を境にその内周側部分の見かけの変形剛性を低め、熱サイクルにより金属ベース/絶縁基板間の接合部に作用する熱ストレスの緩和を図る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
セラミック基板の両面に導体パターンを形成した絶縁基板を放熱用金属ベースに接合した半導体装置において、
前記放熱用金属ベースの上面に、絶縁基板との間の接合面域を包囲してその外周側に熱ストレス緩和溝を凹設したことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F136BA30
, 5F136BB04
, 5F136BB18
, 5F136DA13
, 5F136EA13
, 5F136FA03
, 5F136GA40
