特許
J-GLOBAL ID：200903020570457400
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-007824
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204749
出願日： 1998年01月19日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 大容量の半導体メモリとその半導体メモリを利用して機能発揮する機能回路とを混載した高速動作する半導体装置を提供する。【解決手段】 3行3列に半導体基板を分割した領域のうち第2行第2列を除く領域に8つのメモリアレイを配置し、第2行第2列には機能回路を配置する。機能回路が多数のメモリアレイと接するのでデータの転送距離が短くなり機能回路とメモリアレイとの間で高速なデータ転送が可能である。
請求項（抜粋）：
チップ状に分割された半導体基板の主表面に形成される半導体装置であって、前記半導体基板の主表面の中心を包囲するように配置される複数のメモリアレイを備え、各前記メモリアレイは、複数のワード線と、前記複数のワード線と交差する複数のビット線と、前記複数のワード線と前記複数のビット線の交点にそれぞれ対応する複数のメモリセルとを含み、前記半導体基板の主表面の中心部の中央領域に、前記複数のメモリアレイに制御信号を与える制御手段と、前記複数のメモリアレイと記憶データ授受を行なうとともに前記記憶データと外部からの入力信号とを用いて所定の処理を行ない処理結果を外部に対して出力する機能回路をさらに備える半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 27/10 461
, G11C 11/41
, G11C 11/401
, H01L 21/82
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/10 461
, G11C 11/34 345
, G11C 11/34 371 K
, H01L 21/82 B
, H01L 27/04 A
, H01L 27/10 681 E
