特許

J-GLOBAL ID：200903020571504061

薄膜半導体装置

発明者： 宮本 育昌 ,  櫻井 淳
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 山田 正紀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-180277
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036340
出願日： 1995年07月17日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】製造コストが低く、且つ、性能の優れた薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁性基板1上に形成された、受光層8が上下一対の電極6,9で挟まれて成る受光素子110と、受光素子110を環状に取り巻くゲート電極5、及びゲート電極5の下部に形成された半導体膜16aを有する能動素子120とを備え、半導体膜16aが、ゲート電極5をマスクとして不純物が拡散された、ゲート電極5より内側の、下部電極6と接する第1の不純物拡散層3a、及びゲート電極5より外側の、第2の不純物拡散層3bと、ゲート電極5により不純物の拡散を免れた、ゲート電極5直下の動作層2とを有する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成された、受光層が上下一対の電極で挟まれて成る受光素子と、該受光素子を環状に取り巻くゲート電極、及び該ゲート電極の下部に形成された半導体膜を有する能動素子とを備え、該半導体膜が、前記ゲート電極をマスクとして不純物が拡散された、前記ゲート電極より内側の、前記一対の電極のうちの下部電極と接する第1の不純物拡散層、及び前記ゲート電極より外側の、前記受光素子を取り巻く第2の不純物拡散層と、前記ゲート電極により不純物の拡散を免れた、該ゲート電極直下の動作層とを有することを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/146 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/10

FI (7件)：

H01L 27/14 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 G