特許
J-GLOBAL ID：200903020572023008
高融点金属膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-025323
公開番号（公開出願番号）：特開平6-240449
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年08月30日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板上に、コンタクトホールやバイヤホールの接続不良を防止して、信頼性の高い高融点金属膜を形成する。【構成】 まず、シャッターを持たないスパッタリング装置内に、アルゴンガスを導入し、チタンターゲットに直流電力を供給し、スパッタリング法によって半導体基板上にチタン膜を形成する。つぎに、チタンターゲットに供給した直流電力を切り、アルゴンガスと窒素ガスとを導入する。つぎに、チタンターゲットに直流電力を供給し、スパッタリング法によって、チタン膜の上に窒化チタン膜を形成する。
請求項（抜粋）：
シャッターを持たないスパッタリング装置内に、アルゴンガスを導入し、チタンターゲットに直流電力を供給し、スパッタリング法によって半導体基板上にチタン膜を形成する工程と、チタンターゲットに供給した直流電力を切り、アルゴンガスと窒素ガスとを導入する工程と、チタンターゲットに直流電力を供給し、スパッタリング法によって、前記チタン膜の上に窒化チタン膜を形成する工程とを含むことを特徴とする高融点金属膜の形成方法。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
