基板表面処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：諸田英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-208455
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036653
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、例えばエピタキシャル気相成長工程前のSi基板の表面層に存在する金属、有機化合物等の不純物を効率よく除去し、かつSi基板表面に、フッ素、塩素等のハロゲンあるいは自然酸化膜等が存在しない基板表面処理方法を提供するものである。【構成】本発明は、波長160nm以上の紫外線で励起した酸化性ガス(例えばO2 )により、基板表面を効率よく酸化する工程と、前記紫外線で励起した酸化物除去ガス(例えばHF蒸気)により、基板表面に形成された酸化物を効率よく除去する工程とを、同時にまたは交互に連続して行なった後、水素雰囲気中に該基板を置き、前記紫外線を照射することを特徴とする基板表面処理方法である。

請求項（抜粋）：

半導体基板主面に波長160nm以上の紫外線を照射しながら、該基板主面を酸化する工程と該基板主面に形成される酸化物を除去する工程とを同時にまたは交互に連続して実施する表面処理を行った後、水素雰囲気中に該基板を置き、前記紫外線を照射することを特徴とする基板表面処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , H01L 21/205 , H01L 21/26

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