特許
J-GLOBAL ID：200903020577591934
マグネトロンスパッタ成膜における成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-256442
公開番号（公開出願番号）：特開平11-092926
出願日： 1997年09月22日
公開日（公表日）： 1999年04月06日
要約：
【要約】【課題】枚葉式のマグネトロンスパッタ装置において、膜厚の均一性を保ちつつ、高品質の薄膜を得る。【解決手段】マグネットを移動させるマグネトロンスパッタ装置において、マグネットの移動周期に同期してスパッタパワーを階段状に増加させるか、あるいは直線的に上昇させる。また、スパッタパワーを一定に保持する場合はマグネットの移動周期内における移動時間を、各移動周期ごとに変化させる。
請求項（抜粋）：
真空容器内に、薄膜を形成すべき基板と、薄膜の原材料となるスパッタリングターゲットとを有し、該スパッタリングターゲットの真空容器内部における表面に磁場を形成するための磁場形成手段を真空容器内あるいは真空容器外に有し、該磁場形成手段は該スパッタリングターゲットに対して相対的に移動可能であり、該スパッタリングターゲットに直流電源あるいは交流電源により電圧を印加して放電プラズマを発生および維持するためのパワー入力を行い、該放電プラズマ中のイオンを該ターゲットに衝突させることによるスパッタリング現象を利用して、該基板にスパッタリング粒子を堆積して薄膜を形成させる成膜方法において、該磁場形成手段を移動させる位置周期に同期して該パワー入力を段階的に上昇させることを特徴とするマグネトロンスパッタ成膜における成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/35 B
, C23C 14/34 U
