特許

J-GLOBAL ID：200903020581329616

強誘電性液晶表示素子

発明者： 中川 匡弘 ,  石川 正仁
出願人/特許権者： 中川 匡弘 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-295988
公開番号（公開出願番号）：特開平7-005470
出願日： 1992年11月05日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 強誘電性液晶表示素子のコントラスト比を改善し、残像現象をなくして、表示均一性を向上させた表示品位の高い強誘電性液晶表示素子を提供する。【構成】 基板間5,6に強誘電性液晶組成物7を層状に挟持させてなる液晶表示素子において、前記強誘電体膜14の物性値と前記強誘電性液晶組成物7の物性値とが次の(I)式および(II)式の関係を満足強誘電性液晶表示素子。(Ps F ・AF -Ps FLC ・AFLC )/CLC>VthFLC ......(I)Vm -(Ps F ・AF -Ps FLC ・AFLC )/CLC>VthF .........(II)VthFLC :液晶層の分子配列がユニフォーム状態を維持できる臨界電圧VthF :強誘電体膜の分極反転のためのしきい値電圧Ps F :強誘電体膜の自発分極値AF :強誘電体膜の面積Ps FLC :液晶組成物の自発分極値AFLC :表示画素領域の面積CLC :液晶層の静電容量Vm :印加電圧パルスの波高値

請求項（抜粋）：

少なくとも一方の基板の片面に強誘電体膜を有する一対の基板を、前記強誘電体膜を内側にして対向させ、これらの基板間に強誘電性液晶組成物を層状に挟持させてなる液晶表示素子において、前記強誘電体膜の物性値と前記強誘電性液晶組成物の物性値とが次の(I)式および(II)式の関係を満足することを特徴とする強誘電性液晶表示素子。 (Ps F ・AF -Ps FLC ・AFLC )/CLC>VthFLC ......(I) Vm -(Ps F ・AF -Ps FLC ・AFLC )/CLC>VthF .........(II)ただし、上記各記号は以下のものを意味する。VthFLC :液晶層の分子配列がユニフォーム状態を維持できる臨界電圧VthF :強誘電体膜の分極反転に際するしきい値電圧Ps F :強誘電体膜の自発分極値AF :強誘電体膜の面積Ps FLC :液晶組成物の自発分極値AFLC :表示画素領域の面積CLC :液晶層の静電容量Vm :印加電圧パルスの波高値

IPC (4件)：

G02F 1/1337 510 ,  G02F 1/133 560 ,  G02F 1/136 500 ,  G02F 1/137