TABリード型半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：江原省吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-316721
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152374
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】高い放熱効果を備えるTABリード型半導体装置を提供する。【構成】半導体ペレット(4)の周縁部に一定ピッチ(p)で多数設けたバンプ電極(5)と、半導体ペレット(4)の周囲に延びる多数のリード(6)とを熱圧着するに際し、少なくとも一本のリード(6a)をバンプ電極(5)のピッチ(p)より幅広に形成しておく。

請求項（抜粋）：

半導体ペレット上に形成したバンプ電極にリードを熱圧着してなるTABリード型半導体装置において、上記リードの少なくとも1本を、バンプ電極のピッチより幅広に形成したことを特徴とするTABリード型半導体装置。

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