特許
J-GLOBAL ID：200903020587907590
処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-037552
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232085
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハの処理時にそれを保持する電極を超低温に安定的に維持することができると共に電極に印加する高周波電圧に対して安定した絶縁性を維持することができ、もって16MDRAM以降の高集積回路に対応した超微細加工を行なうことができる処理装置を提供する。【構成】 本処理装置は、下部電極2で保持する半導体ウエハWを下部電極2内の冷却ブロック22で冷却しながら所定の処理を行なう処理装置であって、上記下部電極2の周面に断熱、絶縁性材料からなるホルダー25を設けたものである。
請求項（抜粋）：
電極で保持する被処理体を電極内の冷却機構で冷却しながら所定の処理を行なう処理装置において、上記電極の周面に断熱、絶縁性材料からなるホルダーを設けたことを特徴とする処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/302
, C23C 14/50
, C30B 25/12
, H01L 21/203
, H01L 21/205
出願人引用 (5件)
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特開平4-196528
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特開平4-078135
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特開平4-078134
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特開平1-107540
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特開平3-170666
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審査官引用 (9件)
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