特許

J-GLOBAL ID：200903020589853403

アクティブマトリクス表示装置

発明者： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-031563
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204207
出願日： 1995年01月28日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 特に結晶化を促進させる触媒元素を用いて得られた結晶性シリコンを活性層とする薄膜トランジスタ(TFT)によって構成されたアクティブマトリクス表示装置のOFF電流を低減させる構成を提供する。【構成】 アクティブマトリクス表示装置において、スイッチング素子として1個の画素電極に対して複数のTFTを直列に接続して設け、前記直列接続したTFTの両端を除く少なくとも1個のTFTをゲート信号線とは独立に信号を供給する第2ゲート信号線によって制御することにより、前記スイッチング素子のOFF時のリーク電流(OFF電流)を低減せしめる。

請求項（抜粋）：

アクティブマトリクス表示装置において、マトリクス状に配置された画素電極と画像信号線を有し、1個の前記画素電極に対して少なくとも3個の薄膜トランジスタを直列に接続し、前記直列接続した薄膜トランジスタのうち、画像信号線に接続したものを除く少なくとも1個の薄膜トランジスタが、行選択信号線とは独立な信号を供給するゲート信号線によって制御されることを特徴とする回路をスイッチング素子とすることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-020767   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 特開平2-223913
  
• 特開昭63-151083
  
• 特開昭59-119322