特許
J-GLOBAL ID：200903020592067800
薄型太陽電池及びその製造方法,エッチング方法及び自動エッチング装置,並びに半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-032351
公開番号（公開出願番号）：特開平6-090014
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】 活性層111の薄膜化によって、活性層を構成する高価な高純度材料の削減を図ることができ、しかもモジュール化の際の作業性のよい安価な薄型太陽電池101及びその製造方法を得る。【構成】 薄型太陽電池101の発電に寄与する厚さ100μm以下の薄い活性層111のみを高純度材料から構成するとともに、該薄い活性層111を支持する低純度材料からなる支持基板110を上記活性層の、光の入射面とは反対側に配置した。
請求項（抜粋）：
光電変換を行う高純度材料からなる薄い活性層と、該活性層を支持する支持構造とを備えた薄型太陽電池において、上記支持構造は、低純度材料から構成された支持体からなり、該支持体上に上記活性層を載置してこれを支持する支持基板と、この支持基板と上記活性層との間に介在し、該支持基板から活性層への不純物の拡散を阻止する絶縁性バリア層とから構成されており、上記支持基板の裏面上には、該支持基板を介して上記活性層と接触する裏面電極が設けられていることを特徴とする薄型太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 A
