特許

J-GLOBAL ID：200903020598823061

気相成長装置および該装置を用いた気相成長方法

発明者： 江部 広治 ,  澤田 亮 ,  瀧川 宏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-061956
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267186
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 気相成長装置および該成長装置を用いた気相成長方法に関し、基板上に均一な厚み、均一な組成を有する結晶の成長装置および成長方法の提供を目的とする。【構成】 反応容器1内に設置し、加熱せる基板5に反応容器1内に導入した原料ガス、或いは反応容器1内に設置したソースより蒸発した原料ガスを接触させ、該原料ガスの成分の熱分解により該原料ガスの成分を基板5に被着する気相成長装置に於いて、前記反応容器1の容積を可変に調節する容積調節手段(22,23,24)を設けて構成する。

請求項（抜粋）：

反応容器(1) 内に設置され、加熱した基板(5) に、前記反応容器(1) 内に導入した原料ガス、或いは反応容器(1) 内に設置したソースより蒸発した原料ガスを接触させ、該原料ガスの成分の熱分解、或いは蒸着により該原料ガスの成分を基板(5) に被着する気相成長装置に於いて、前記反応容器(1) の容積を可変に調節する容積調節手段(22,23,24)を設けたことを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31