特許

J-GLOBAL ID：200903020604098919

半導体装置とその製造方法

発明者： 山崎 武
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-251253
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088362
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 MOSトランジスタのホットキャリア耐性を低めることなくソース拡散抵抗を小さくし、電流能力の向上を図り、また、通常の耐圧MOSトランジスタの他に高耐圧MOSトランジスタを有する半導体装置においては製造工数の増加を伴うことなく通常のMOSトランジスタのホットキャリア耐性を高めることとソース拡散抵抗を小さくし、電流能力の向上を図ることを両立させる。【構成】 ドレイン側のライトリィドープト領域5aよりもソース側のライトリィドープト領域6aの方を不純物濃度を高くする。そして、普通のMOSトランジスタのドレイン側ライトリィドープト領域5aと、高耐圧MOSトランジスタのドレイン側ライトリィドープト領域5bとを同時に形成し、普通のMOSトランジスタのソース側ライトリィドープト領域6aと、高耐圧MOSトランジスタのソース側ライトリィドープト領域6bとを同時に形成する。

請求項（抜粋）：

ドレイン側のライトリィドープト領域よりもソース側のライトリィドープト領域の方の不純物濃度を高くしたMOSトランジスタを有することを特徴とする半導体装置

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-155776
  
• 特開平3-006855
  
• 特開昭57-155776
  
• 特開平3-006855