特許

J-GLOBAL ID：200903020604614585

ダイオードブリッジ型容量検出回路

発明者： 矢地 兼雄
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 有近 紳志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-174214
公開番号（公開出願番号）：特開平8-043461
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 1チップにIC化したときにダイオードがトランジスタ動作する不都合を防止する。【構成】 不純物導入プロセスによりn型半導体基板N1にpウエルを形成し、そのpウエルの内部にn+領域を作成し、そのn+領域の内部にp+ 領域を作成し、前記pウエルと前記n+領域とを電気的に短絡接続する。そして、前記n+領域-前記p+ 領域間をダイオードブリッジのダイオードD1として用いる。ダイオードブリッジの他のダイオードは、前記ダイオードD1と同様の構造である。【効果】 実装面積を低減でき、寄生容量等を軽減できる。

請求項（抜粋）：

ダイオードブリッジの対向する一対の接続点の間に容量型センサを接続し、前記ダイオードブリッジの他の一対の接続点の間の電圧に基づいて前記容量型センサの容量の変化を検出するダイオードブリッジ型容量検出回路において、不純物導入プロセスによりn型半導体基板にpウエルを形成し、そのpウエルの内部にn領域を形成し、そのn領域の内部にp領域を形成し、前記pウエルと前記n領域とを電気的に短絡接続し、前記n領域-前記p領域間を前記ダイオードブリッジのダイオードとして用いることを特徴とするダイオードブリッジ型容量検出回路。