特許
J-GLOBAL ID：200903020605996392
化合物半導体構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-162573
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013462
出願日： 1991年07月03日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 電界効果トランジスタ型構造を有する化合物半導体構造に関し、閾値電圧の低い電界効果型トランジスタを構成するのに適した化合物半導体構造。【構成】 化合物半導体基板上に形成されたノンドープ化合物半導体のバッファ層と、ポテンシャル井戸を形成する低不純物濃度化合物半導体の井戸層と、キャリアに対して電位障壁を形成する化合物半導体の電位障壁と、バッファ層よりも格子定数の小さな化合物半導体で形成され、オーミックコンタクトを形成するのに適したコンタクト層とを有する。また、前記バッファ層よりも格子定数の大きな化合物半導体で形成され、オーミックコンタクトを形成するのに適したコンタクト層と、さらに、コンタクト層に形成され、一方向の寸法がそれに直交する方向の寸法よりも長い開口と、前記開口内で前記電位障壁層上に形成されたゲート電極とを有する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板(1)と、前記化合物半導体基板(1)上に形成されたノンドープ化合物半導体のバッファ層(2)と、前記バッファ層(2)上に形成され、ポテンシャル井戸を形成する低不純物濃度化合物半導体の井戸層(3)と、前記井戸層(3)上に形成され、キャリアに対して電位障壁を形成する化合物半導体の電位障壁層(4)と、前記電位障壁層(4)上に形成され、前記バッファ層よりも格子定数の小さな化合物半導体で形成され、オーミックコンタクトを形成するのに適したコンタクト層(5)とを有する化合物半導体構造。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
