特許
J-GLOBAL ID：200903020606126960
半導体装置及びBGAパッケージ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-299048
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254666
出願日： 1994年11月09日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】半導体素子の破損がなく、放熱性に優れた半導体装置を提供する。【構成】絶縁基板11の一方の主面上には、第1熱伝導体21a及び第2熱伝導体21bが形成される。第1熱伝導体21a上には、TCP102が搭載される。第2熱伝導体21b上には、ヒートシンク103が搭載される。絶縁基板11の他方の主面上には、第3熱伝導体21cが形成される。第1及び第2熱伝導体21a,21bと第3熱伝導体21cとの間の絶縁基板11には、複数のスルーホール23,24が形成される。スルーホール23,24内には、第4熱伝導体21dが形成される。半導体チップ15の熱は、第1〜第4熱伝導体21a〜21dによりヒートシンク103に伝導される。
請求項（抜粋）：
上面及び下面を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成される第1熱伝導体と、前記絶縁基板の上面であって前記第1熱伝導体の周囲に形成される複数の第2熱伝導体と、前記絶縁基板の下面であって少なくとも前記第1及び第2熱伝導体の直下を含む領域に形成される第3熱伝導体と、前記第1及び第3熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられる少なくとも1つの第1スルーホールと、前記第2及び第3熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられる少なくとも1つの第2スルーホールと、前記第1及び第2スルーホール内に形成され、前記第1熱伝導体と前記第3熱伝導体及び前記第2熱伝導体と前記第3熱伝導体をそれぞれ熱的に接続する第4熱伝導体と、前記第1熱伝導体上に配置される半導体チップと、前記第2熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記半導体チップを覆うように前記第2熱伝導体上に搭載されるヒートシンクとを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 J
, H01L 23/12 L
