特許

J-GLOBAL ID：200903020622437496

半導体記憶装置およびその書き込み、読み出し方法

発明者： 今村 健一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347699
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204422
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 高電子移動度トランジスタ(HEMT)型構造を有する半導体記憶装置に関し、ヘテロ接合を利用した半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】 ポテンシャルバリアを形成する薄いバリア層と、前記バリア層の一方の側に隣接して配置され、電気的に分離され、キャリアを蓄積することのできる蓄積導電領域と、前記バリア層の他方の側に隣接して配置され、2次元キャリアガスの輸送を行なうことのできる半導体で形成された走行領域と、前記走行領域の両端に電気的に接続された一対の電流取り出し導電領域とを有する。

請求項（抜粋）：

ポテンシャルバリアを形成する薄いバリア層(1)と、前記バリア層(1)の一方の側に隣接して配置され、電気的に分離され、キャリアを蓄積することのできる蓄積導電領域(2)と、前記バリア層(1)の他方の側に隣接して配置され、2次元キャリアガスの輸送を行なうことのできる半導体で形成された走行領域(3)と、前記走行領域(3)の両端に電気的に接続された一対の電流取り出し導電領域(4、5)とを有する半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/10 341 ,  G11C 7/00 311 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812