研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：四宮通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-025059
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229388
出願日： 2002年02月01日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】エッジイクスクルージョンを小さくする。【解決手段】支持部14aは、ウエハ2の研磨時にウエハからその周囲へはみ出すウエハのはみ出し部分を支持する。高さ調整機構18は、支持部14aの高さを調整して設定する。変位計23は、ウエハ2の被研磨面の高さを計測する。制御部24は、変位計23からの計測結果に基づいて、ウエハ2の被研磨面の高さを基準とした支持部14aの支持面の相対的な高さが、所望の相対的な高さとなるように、高さ調整機構18を作動させる。研磨ヘッド7の研磨パッド10のリバウンディング弾性変形によるウエハ2への影響の低減効果を、ウエハ2の厚さのばらつきに応じて最適化して得ることができる。

請求項（抜粋）：

研磨体と、被研磨物を保持する保持部とを備え、前記研磨体と前記被研磨物との間に荷重を加え、前記研磨体及び前記被研磨物を相対移動させることにより、前記被研磨物を研磨する研磨装置において、前記被研磨物の研磨時に少なくとも一時的に前記被研磨物からその周囲へはみ出す前記研磨体のはみ出し部分を支持する支持部と、前記支持部における前記はみ出し部分を支持する支持面の高さを調整して設定し得る高さ調整機構と、を備えたことを特徴とする研磨装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 621 , B24B 37/04

FI (3件)：

H01L 21/304 622 G , H01L 21/304 621 D , B24B 37/04 B

Fターム (8件)：

3C058AA07 , 3C058AA11 , 3C058AA12 , 3C058AA13 , 3C058AA16 , 3C058AC01 , 3C058CB01 , 3C058DA17

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