特許

J-GLOBAL ID：200903020626098661

パターン形成方法

発明者： 佐藤 功
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-004047
公開番号（公開出願番号）：特開平10-198048
出願日： 1997年01月13日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 パターン端部に形状悪化を生じることなく、かつ近接効果の影響を回避できるようなパターンを容易に形成する方法を提供すること。【解決手段】 化学増幅型ポジレジスト13からなるレジスト層を露光してレジスト層の露光領域中に酸を発生させ、その後熱処理により酸を触媒としたレジスト反応を起こして露光領域にパターンの潜像21を形成し、然る後レジスト層を現像して潜像の領域を除去することによりレジスト層のパターン25を形成するにあたり、露光後から熱処理前までの間に、露光済みのレジスト層を塩基性雰囲気中17に一定時間放置する。

請求項（抜粋）：

化学増幅型ポジレジストからなるレジスト層を露光して該レジスト層の露光領域中に酸を発生させ、その後熱処理により前記酸を触媒としたレジスト反応を起こして前記露光領域にパターンの潜像を形成し、然る後、前記レジスト層を現像して前記潜像の領域を除去することにより、前記レジスト層のパターンを形成するにあたり、前記露光後から前記熱処理前までの間に、露光済みの前記レジスト層を塩基性雰囲気中に一定時間放置することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/38 511 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/38 511 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 574