特許
J-GLOBAL ID：200903020626420660
半導体装置及び赤外線検出素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-288297
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148727
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 薄膜抵抗素子形成工程の削減を図る。【構成】 第1抵抗層25aを、第1抵抗層25aの材料より抵抗率の低い材料で構成された低抵抗率層25b,25cで挟んだ積層抵抗体25を、下部電極26と上部電極27で上下から挟んだ構造を備えた薄膜サーミスタ24と、積層抵抗体25と層構造が同じ積層抵抗体32の最下層である低抵抗率層32bに下部電極33,34を接続した構造を備えた薄膜サーミスタ31とを基板22上に形成した。【効果】 薄膜サーミスタ24と薄膜サーミスタ31の抵抗体部分(積層抵抗体25と積層抵抗体32)を同時に形成することができる。
請求項（抜粋）：
第1抵抗層を備えると共に、最上層または最下層として、前記第1抵抗層の材料より抵抗率の低い材料で構成された低抵抗率層を備えた積層抵抗体を、基板上に複数形成した半導体装置であって、前記積層抵抗体に前記積層抵抗体を上下から挟む一対の電極を接続した第1種抵抗素子と、前記積層抵抗の前記低抵抗率層に接触する一対の電極を接続した第2種抵抗素子とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 37/00
, G01J 1/02
, G01J 5/20
, G01K 7/22
, H01C 1/142
, H01C 7/04
