特許

J-GLOBAL ID：200903020630800079

アミン誘導体の製造方法

発明者： 板橋 太門 ,  神川 卓
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-311248
公開番号（公開出願番号）：特開2003-201268
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】置換芳香族アミン化合物を、収率良くしかも不純物を少なく製造する方法の提供。【解決手段】 一般式(1)〔式中、R1は、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、又はシクロアルケニル基を表し、X1は塩素、臭素、ヨウ素、メシル基又はトリフルオロメタンスルホニル基を表し、nは1から3までの整数。〕で示される不飽和有機化合物と一般式(2)〔式中、R2は水素、置換されていてもよいアルキル基を表し、R3は水素、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、R2及びR3が窒素原子と一緒になってヘテロ環を形成する基。〕で示されるアミン化合物とを縮合反応させるにあたり、触媒として、1,2-ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)エタン又は1,3-ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)プロパンとニッケル系化合物との錯体を用いる一般式(3)R2R3NR1 (3)で示されるアミン誘導体の製造方法。

請求項（抜粋）：

一般式(1)〔式中、R1は、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、又はシクロアルケニル基を表し(これら置換基は、それぞれ1つ又は複数の同一又は異なる置換基で置換されていてもよい。)、X1は塩素、臭素、ヨウ素原子、メシル基又はトリフルオロメタンスルホニル基を表し、nは1から3までの整数を示す。〕で示される不飽和有機化合物と一般式(2)〔式中、R2は水素原子、置換されていてもよいアルキル基を表し、R3は水素原子、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、あるいはR2及びR3が窒素原子と一緒になってヘテロ環を形成する基を表す。〕で示されるアミン化合物とを縮合反応させるにあたり、触媒として、1,2-ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)エタン又は1,3-ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)プロパンとニッケル系化合物との錯体を用いることを特徴とする一般式(3)R2R3NR1 (3)[式中、R1、R2およびR3は、前記と同じ意味を表す。]で示されるアミン誘導体の製造方法。

IPC (10件)：

C07C209/10 ,  C07C211/48 ,  C07C211/54 ,  C07C217/84 ,  C07C227/08 ,  C07C229/60 ,  C07C253/30 ,  C07C255/58 ,  C07D213/74 ,  C07B 61/00 300

FI (10件)：

C07C209/10 ,  C07C211/48 ,  C07C211/54 ,  C07C217/84 ,  C07C227/08 ,  C07C229/60 ,  C07C253/30 ,  C07C255/58 ,  C07D213/74 ,  C07B 61/00 300

Fターム (25件)：

4C055AA01 ,  4C055BA02 ,  4C055BA52 ,  4C055BB10 ,  4C055CA01 ,  4C055DA01 ,  4C055EA01 ,  4C055FA32 ,  4C055FA34 ,  4C055FA37 ,  4H006AA02 ,  4H006AC52 ,  4H006BA02 ,  4H006BA21 ,  4H006BA32 ,  4H006BA48 ,  4H006BA53 ,  4H006BJ50 ,  4H006BP30 ,  4H006BT32 ,  4H006BU46 ,  4H006QN30 ,  4H039CA71 ,  4H039CD10 ,  4H039CD20