特許
J-GLOBAL ID:200903020633113617

漸次的なサーマルマスを有する半導体ウエハサポート

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-230190
公開番号(公開出願番号):特開平10-083969
出願日: 1997年07月23日
公開日(公表日): 1998年03月31日
要約:
【要約】半導体ウエハのための環状エッジリングサポートが、半導体ウエハを支えるための半径方向の最も内側の部分と、その内側部分と接触している半径方向の最も外側の部分を有している。内側部分は、半径が増加すると実質的に増加する漸次的なサーマルマスを有している。
請求項(抜粋):
基板を支えるための内側部分を備えるエッジリングサポートであって、前記内側部分が、内縁部から外方に向かう半径距離の増加に伴って実質的に増加する漸次的なサーマルマスを有するように構成され且つ配置されているエッジリングサポート。
IPC (4件):
H01L 21/26 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/68
FI (4件):
H01L 21/26 Q ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 G ,  H01L 21/68 N

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