特許

J-GLOBAL ID：200903020634520429

半導体装置の絶縁膜形成方法

発明者： 栗原 久明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-132917
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306686
出願日： 1995年05月02日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 簡単な構成で効率よく含有水分量が少なく耐吸湿性および耐透水性に優れた半導体装置の層間絶縁膜形成方法を提供する。【構成】 プラズマ処理装置のチャンバ内でTEOSガスを反応ガスとしてウエハ上にプラズマ酸化膜を形成し、同じチャンバ内でTEOSガスをパージした後、窒素ガスを反応ガスとしてプラズマ処理を行って上記酸化膜上に窒化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理装置のチャンバ内でTEOSガスを反応ガスとしてウエハ上にプラズマ酸化膜を形成し、同じチャンバ内でTEOSガスをパージした後、窒素ガスを反応ガスとしてプラズマ処理を行って上記酸化膜上に窒化膜を形成することを特徴とする半導体装置の絶縁膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 P