ガスセンサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野寿一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-329419
公開番号（公開出願番号）：特開2008-145128
出願日： 2006年12月06日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：

【目的】ガスセンサにおいて,ガス選択性が高く量産が可能なセンサ構造を提供する。【構成】本発明は、電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜の上に,触媒金属からなる下部ゲート電極と,イオン導伝性膜と,触媒金属からなる上部ゲート電極の積層構造を設けた多層ゲート型ガスセンサである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜の上に,触媒金属からなる下部ゲート電極と,イオン導伝性膜と,触媒金属からなる上部ゲート電極の積層構造を設けたことを特徴とする多層ゲート型ガスセンサ

IPC (3件)：

G01N 27/414 , G01N 27/00 , G01N 27/416

FI (4件)：

G01N27/30 301V , G01N27/00 J , G01N27/46 371G , G01N27/30 301U

Fターム (8件)：

2G060AA01 , 2G060AB03 , 2G060AE19 , 2G060BB18 , 2G060DA04 , 2G060DA12 , 2G060DA15 , 2G060DA31

引用特許：

審査官引用 (4件)

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引用文献：

審査官引用 (1件)

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