特許
J-GLOBAL ID：200903020640746730
電着銅箔およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-252156
公開番号（公開出願番号）：特開2002-129373
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：
【要約】【課題】 制御された低プロフィルの電着銅箔およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明は、制御された低プロフィルの電着銅箔に関する。1つの実施態様では、この箔は、本質的に円柱状粒子および双晶境界がなく、そして約10ミクロンまでの平均粒子サイズを有する、実質的に一様でランダムに配向する粒子構造を有する。本発明はまた、先述の箔を製造する方法に関し、その方法は:(A)アノードおよびカソードの間に電解溶液を流し、そして該アノードおよび該カソード間に、該カソード上に銅が析出するように有効な量の電圧を印加する工程;ここでこの電解溶液は銅イオン、硫酸イオンそして少なくとも1つの有機添加物またはその誘導体を含み、該溶液の塩素イオン濃度は約1ppmまでであり;電流密度は約0.1〜約5A/cm2の範囲である;および(B)このカソードから銅箔を除去する工程を包含する。
請求項（抜粋）：
本質的に円柱状粒子および双晶境界がなくそして約10ミクロンまでの平均粒子サイズを有する粒子構造を持つ電着銅箔であって、該粒子構造が実質的に一様でランダムに配向する粒子構造である、制御された低プロフィルの電着銅箔。
IPC (2件)：
C25D 1/04 311
, C25D 3/38 101
C25D 1/04 311
, C25D 3/38 101
4K023AA04
, 4K023AA19
, 4K023BA06
, 4K023CB04
, 4K023CB05
, 4K023CB08
, 4K023CB13
, 4K023CB29
, 4K023CB32
, 4K023CB42
, 4K023DA07
