特許

J-GLOBAL ID：200903020644963299

微細レジストパターンの形成方法

発明者： 塙 哲郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-018912
公開番号（公開出願番号）：特開平8-211620
出願日： 1995年02月07日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 化学増幅型レジストを用いて、微細レジストパターンを矩形性よく、かつ寸法制御性よく形成する方法を提供すること。【構成】 半導体基板2の上に、化学増幅型レジスト膜8と半導体基板2とを隔離するための、水溶性材料で形成されたバリア層7を形成する。バリア層7を介在させて、半導体基板2の上に化学増幅型レジスト膜8を形成する。化学増幅型レジスト膜8を選択的に露光し、潜在画像を形成する。化学増幅型レジスト膜8を現像し、微細レジストパターン100を形成する。

請求項（抜粋）：

化学増幅型レジスト膜を半導体基板の上に形成し、これをパターニングすることにより微細レジストパターンを形成する方法であって、前記半導体基板の上に、前記化学増幅型レジスト膜と前記半導体基板とを隔離するための、水溶性材料で形成されたバリア層を形成する工程と、前記バリア層を介在させて、前記半導体基板の上に前記化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜を選択的に露光し、潜在画像を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜を現像し、微細レジストパターンを形成する工程と、を備えた微細レジストパターンの形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027