特許
J-GLOBAL ID：200903020648722164
EL素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-348235
公開番号（公開出願番号）：特開平11-185969
出願日： 1997年12月17日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 素子破壊、コントラストの低下といった不具合を生じることなく、素子の高輝度化を図る。【解決手段】 基板1上に、第1電極としてのITO電極2、第1絶縁層としてのTa/Sn/O複合酸化膜3、ZnS:Tb発光層4、第2絶縁層としてのSiON膜5aとTa/Sn/O複合酸化膜5b、および第2電極としてのAl背面電極6を積層して形成されたEL素子であって、第1絶縁層としてのTa/Sn/O複合酸化膜3の表面に、高さが100〜400nmの複数の凹凸3aを形成した。
請求項（抜粋）：
少なくとも、基板と、この基板に近い順に、第1電極、絶縁層、発光層、第2電極を備えてなるEL素子において、前記絶縁層と前記発光層の界面に凹凸を形成したことを特徴とするEL素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05B 33/22 Z
, H05B 33/10
