光導波路素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-042286
公開番号（公開出願番号）：特開2000-241639
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】高い特性を有し、パターニングされたエピタキシャル酸化物薄膜光導波路を備えた光導波路素子を提供すること、また前記の光導波路素子のパターニングを精度よくまた生産性よく行うことができる光導波路素子の製造方法を提供すること。【解決手段】単結晶状あるいはエピタキシャル状のスラブ型酸化物光導波路の表面に、加熱によって屈折率が前記スラブ型酸化物光導波路と同じエピタキシャル状酸化物薄膜光導波路となるアモルファス状薄膜を形成した後、このアモルファス状薄膜をエッチングによって凸型形状にパターニングし、次いで、パターニングされたアモルファス状薄膜を加熱して固相エピタキシャル成長させることにより、前記スラブ型酸化物光導波路と同じ屈折率を有するパターニングされたエピタキシャル状酸化物薄膜光導波路を形成することを特徴とする光導波路素子の製造方法、および光導波路素子。

請求項（抜粋）：

単結晶基板表面に、凹型形状または凸型形状のパターンを有するエピタキシャル状酸化物バッファ層と、前記酸化物バッファ層よりも大きい屈折率を有するパターニングされたエピタキシャル状酸化物薄膜光導波路とを順次設けたことを特徴とする光導波路素子。

IPC (3件)：

G02B 6/12 , G02B 6/122 , G02B 6/28

FI (3件)：

G02B 6/12 H , G02B 6/12 D , G02B 6/28 U

Fターム (15件)：

2H047KA04 , 2H047KA12 , 2H047KA13 , 2H047LA01 , 2H047LA12 , 2H047PA02 , 2H047PA06 , 2H047PA21 , 2H047PA24 , 2H047PA30 , 2H047QA03 , 2H047RA08 , 2H047TA31 , 2H047TA36 , 2H047TA37

引用特許：

審査官引用 (1件)

ガーネット導波路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-025967 出願人：日本電信電話株式会社

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